特許
J-GLOBAL ID：200903040720729994
半導体装置の配線修正方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234999
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】微細な配線パターンを多層に形成した半導体装置に対して、微細深穴を精度良く形成し、且つ該接続穴に導電物質を形状的・電気的に良好に充填する。【構成】半導体装置に集束イオンビームで接続穴を形成する前に緩衝膜を形成し、接続穴形成後、該接続穴の寸法に応じたバリア膜形成を行う。その後、接続穴の寸法に応じて導電物質充填のためのエネルギービームを選択する。上記エネルギービームにレーザ光を選択した場合、接続穴の寸法に応じて対物レンズの実効的NA及びレーザ光の焦点位置を変える。【効果】これにより、微細化・多層化の進む半導体装置の配線修正が確実に行え、半導体装置の開発期間を大幅に短縮できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を下記工程によって修正することを特徴とする半導体装置の配線修正方法。工程1:半導体装置表面のクリーニング工程2:半導体装置表面への緩衝膜形成工程3:集束イオンビーム加工による半導体装置の保護膜及び絶縁膜への接続穴形成及び配線切断工程4:CVD材料ガス雰囲気中で上記接続穴への選択的なエネルギービーム照射によるバリア膜形成工程5:CVD材料ガス雰囲気中で上記接続穴への選択的なエネルギービーム照射による導電物質充填工程6:CVD材料ガス雰囲気中で半導体装置上にレーザ光を相対的に走査せしめ、修正配線を付加形成工程7:不要緩衝膜の除去
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/20
