特許
J-GLOBAL ID：200903040725007326
横型電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022930
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147401
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】ソース領域とドレイン領域を交互に配置する低オン抵抗横型FETのドレイン領域に下層配線を接続するための接触孔の横上に、その下層配線に上層配線を接続する貫通孔を設けるときに、ソース領域に接続される下層配線の幅をできるだけ広くして、抵抗を下げるようにする。【構成】ドレイン領域への接続のための接触孔と貫通孔を結ぶ方向を、ソース、ドレイン両領域それぞれへの接続のための接触孔を結ぶ方向に対して45°あるいは30°の角度をつける。あるいは、それぞれ領域およびドレイン領域を互いに平行な帯状とし、ドレイン領域接続のための接続孔と貫通孔をドレイン領域長手方向の一線上に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面層にソース領域とドレイン領域が交互に形成され、表面を覆う絶縁膜に明けられた接触孔を介してソース領域とドレイン領域にそれぞれ下層配線が接続され、その下層配線上の層間絶縁膜に明けられた貫通孔を介して、ドレイン領域またはソース領域と接続された下層配線に上層配線が接続されるものにおいて、ドレイン領域またはソース領域への接続のための接続孔および貫通孔を結ぶ方向が、ソース領域およびドレイン領域それぞれへの接続のための両接触孔を結ぶ方向に対して角度をなすことを特徴とする横型電界効果トランジスタ。
引用特許：
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