特許
J-GLOBAL ID：200903040732486264
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284727
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 単一横モードであり、かつより真円に近いビーム形状を有するレーザ光を効率よく得ることができる面発光型半導体レーザおよびその製法方法を提供する。【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100は面指数(100)を有する半導体基板101上に共振器120が形成されている。共振器120は柱状部110を含み、柱状部110には電流狭窄層111が形成されている。電流狭窄層111を含む面において、柱状部110の周縁140の形状は電流狭窄層111の内周縁111aの形状の一部と近似する弧状の形状部140a<SB>1</SB>〜140a<SB>4</SB>を含む。これらは電流狭窄層111の内周縁111aの中心から<010>方向、<001>方向、<0-10>方向、<00-1>方向にそれぞれ形成され、かつ内周縁111aの形状の一部とほぼ同心円状に形成されている。
請求項（抜粋）：
面指数(100)を有する半導体基板上に共振器が形成され、該共振器から前記半導体基板と垂直方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器は、少なくとも一部に柱状の半導体堆積体を含み、前記柱状の半導体堆積体は電流狭窄層を含み、前記電流狭窄層を含む面において、前記柱状の半導体堆積体の周縁の形状が前記電流狭窄層の内周縁の形状の一部と近似する弧状の形状部を含み、前記弧状の形状部は、前記電流狭窄層の内周縁の中心から<010>方向、<001>方向、<0-10>方向、および<00-1>方向にそれぞれ形成されている、面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA27
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA18
