特許
J-GLOBAL ID：200903040733531026
フラッシュ型E2 PROMの消去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207173
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028875
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 初期状態は勿論、書換え回数が増えても過剰消去がなく、しかも読出しマージンを広くとれ、かつ高速化に有利なフラッシュ型E2 PROMの消去方法を提供する。【構成】 ワード線WLおよびビット線BLを順に選択しつつ各セルの閾値電圧Vthが判定レベル以下になるまで消去およびベリファイを繰り返し(ステップS11〜18)、ベリファイ時の非選択セルのコントロールゲートには負電圧を印加するようにし、また全セルの閾値電圧Vthが判定レベル以下になったのを確認した後、ワード線単位で過剰消去セルに対して閾値電圧Vthが0V以上となるまで再書込みを行う(ステップS21〜28)。
請求項（抜粋）：
消去する全セルに対して消去前書込みを行った後、消去およびベリファイを閾値電圧が判定レベル以下になるまで繰り返して行うフラッシュ型E2 PROMの消去方法において、ベリファイ時に、非選択セルのコントロールゲートに負電圧を印加することを特徴とするフラッシュ型E2 PROMの消去方法。
引用特許：
前のページに戻る
