特許
J-GLOBAL ID：200903040741737601
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124869
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 パターンを分割露光、合成して製造される固体撮像装置の合成部境界の感度ばらつきを改善する。【構成】 チャネルストップパターンを、図1(a)のレティクルにて、分割露光して、合成して形成する工程と、遮光メタルパターンを、チャネルストップパターンと分割位置が異なる図1(b)のレティクルにて、分割露光して、合成して形成する工程により、合成部境界にて、チャネルストップパターン、あるいは、遮光メタルパターンのいずれか一方のみの線幅ばらつき、あるいは、位置合わせずれの影響を受けるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、第1のチップパターンを複数の描画パターンに分割配置したレティクルを用いて、分割露光し、上記描画パターンを半導体基板上に転写してパターンを形成し、該パターンの合成により、上記第1のチップパターンを形成する工程と、第2のチップパターンを、上記第1のチップパターンの分割位置とは異なる位置で、複数の描画パターンに分割配置したレティクルを用いて、分割露光し、上記描画パターンを半導体基板上に転写してパターンを形成し、該パターンの合成により、上記第2のチップパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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