特許
J-GLOBAL ID：200903040744726031
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238738
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107279
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】絶縁層と導体層を繰り返し積層した配線基板のビアスタッドを形成する工程において、エッチング液からビアスタッドを確実に保護し、ビアスタッドの形状欠陥が少ない、高信頼の配線基板の製造方法を提供する。【構成】ビアスタッド105を覆うエッチングレジスト106の形状寸法を、めっきレジストに形成されたスルーホールの電気めっき時における壁面傾斜角度α(ビアスタッド105の側壁の傾斜角に等しい)、ビアスタッド105を被覆するエッチングレジスト106のビアスタッド頂端部から基板面に垂直に下ろした線分からの傾斜角β(ビアスタッド105を覆うエッチングレジストの側壁の傾斜角)、ビアスタッドの高さ寸法h、およびフォトマスクの位置合わせ誤差δの関数で決め、ビアスタッドがエッチングレジストによって完全に被覆された状態で配線パターンを形成する工程としたものである。
請求項（抜粋）：
絶縁層と導体層とを交互に複数回繰り返し積層する工程と、導体層上に第1のフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフ工程によりスルーホールを設けためっきレジスト形成してから、電気めっきによりスルーホール内にビアスタッドを形成する工程と、ビアスタッドを第2のフォトレジストによって形成したエッチングレジストで保護しながらフォトリソグラフ工程により導体層に配線パターンを形成する工程とを有して成る多層配線基板の製造方法であって、前記エッチングレジストでビアスタッドを保護しながら導体層に配線パターンを形成するに際しては、ビアスタッドを被覆するエッチングレジストの形状寸法を、めっきレジストに設けられたスルーホールの電気めっき時における壁面傾斜角度α、ビアスタッドを被覆するエッチングレジストのビアスタッド頂端部から基板面に垂直に下ろした線分からの傾斜角β、ビアスタッドの底面径d、ビアスタッドの高さ寸法h、およびフォトマスクの位置合わせ誤差δの関数で決め、ビアスタッドがエッチングレジストによって完全に被覆された状態で配線パターンを形成する工程として成る配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 3/06
, H05K 3/24
