特許

J-GLOBAL ID：200903040749146238

液晶表示装置の製造方法

発明者： 恵木 伸悟
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324443
公開番号（公開出願番号）：特開平6-175154
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 酸化シリコン膜を誘電体として、少なくともその下側電極をシリコン膜として容量が形成されたアクティブマトリックス方式液晶表示装置の絶縁膜の耐圧、信頼性を向上させ、画面の表示品質を向上する。【構成】 絶縁膜を熱酸化工程とHTO膜により形成する。熱酸化終了後、容量の誘電体膜のみを選択的にエッチング除去する。その後、HTO膜の形成を行うことにより、絶縁膜と容量の誘電体膜がともに形成され、容量の誘電体膜を選択的に薄膜化する。【効果】 絶縁膜の耐圧、信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン膜で形成されたTFTによる駆動回路を有するアクティブマトリクス方式液晶表示装置において、容量部の形成方法として、非単結晶シリコン膜を堆積した後、所定のパターンにエッチングする工程と、熱酸化により酸化膜を形成する工程と、該酸化膜の一部を選択的にエッチング除去する工程と、CVD法による絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-280018
  
• 特開平3-274029
  
• 特開平3-260632
  
• 特開平2-113580