半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197616
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】パーフロロ化合物(PFC)ガスの分解反応系に窒素や窒素化合物ガスが存在することを防止し、酸化窒素(NOx)の生成を防止する。【解決手段】基板(ウエハ)をプラズマCVD装置100のCVDチャンバ101内に搭載し、テトラエトキシシランや酸素等の原料ガスを供給することにより、基板(ウエハ)の上部に酸化シリコン膜を堆積した後、CVDチャンバ101の底部や側壁に付着した酸化シリコンを、PFCガスを供給することによって除去し、CVDチャンバ101から排出されたPFCガスを酸素等の添加ガスAGによって分解する場合において、ターボ分子ポンプ102や補助用ドライブポンプ104の駆動の際に、パージガスPGとして窒素ガスもしくは窒素化合物よりなるガスを含まない不活性ガスを供給する。

請求項（抜粋）：

パーフロロ化合物(PFC)ガスを供給しながら半導体基板表面の処理を行う半導体装置の製造装置であって、前記半導体基板表面の処理を行う処理部と、前記PFCガスを酸素もしくは酸素化合物よりなるガスを用いて分解する分解部と、前記処理部に設けられた減圧ポンプと、前記減圧ポンプにガスを供給するガス供給部と、を有し、前記減圧ポンプに供給されるガスは、窒素ガスもしくは窒素化合物よりなるガスを含有しないことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 E , H01L 21/28 F , H01L 21/285 C , H01L 21/302 C

Fターム (46件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA12 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG08 , 5F004AA15 , 5F004BC02 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F045AA05 , 5F045AB32 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045EB06 , 5F045EE14 , 5F045EG07

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