特許

J-GLOBAL ID：200903040762126580

半導体基体の処理方法

発明者： 早藤 貴範 ,  中沢 幸子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193607
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058115
出願日： 1982年03月25日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体基体に表面粗や汚染等を生じることなく、積層欠陥等の結晶欠陥を半導体基体から速やかに除去する。【構成】 シリコンを主成分とする半導体基体を、NとHとを構成元素とするガスを含む分子状ガスの雰囲気中で熱処理する。半導体基体の表面に酸化シリコン膜が存在していなければ(曲線B)、半導体基体の表面に酸化シリコン膜が存在している場合(曲線A)に比べて、NとHとの分圧が高くなるにつれて積層欠陥が急速に収縮する。しかも、熱処理に際しての雰囲気が分子状ガスであるので、プラズマ損傷等による新たな結晶欠陥の発生もない。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とする半導体基体を、NとHとを構成元素とするガスを含む分子状ガスの雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基体の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 27/146

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-163679
  
• 特開昭56-029337
  
• 特開昭57-155735