特許
J-GLOBAL ID：200903040764888003
半導体光デバイスとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224986
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048209
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 金属電極と接続される半導体コンタクト層を有する半導体光デバイスにおいて、半導体コンタクト層と金属電極との接触抵抗を安定して低くできる構造を得る。【構成】 半導体コンタクト層6上に形成され、該半導体コンタクト層6とオーミック接続するコンタクト用金属電極13と、該コンタクト用金属電極13上に形成された絶縁膜8と、該絶縁膜8上に形成され、該絶縁膜に設けられた開口部11において上記コンタクト用金属電極13と接続する引き出し用金属電極12とを備えた構成とした。
請求項（抜粋）：
金属電極と接続される半導体コンタクト層を有する半導体光デバイスにおいて、上記半導体コンタクト層上に形成され、該半導体コンタクト層と所望の抵抗値を得るのに十分な面積で接触しオーミック接続するコンタクト用金属電極と、該コンタクト用金属電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、該絶縁膜に設けられた開口部において上記コンタクト用金属電極と接続する引き出し用金属電極とを備えたことを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (2件)：
引用特許：
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