特許
J-GLOBAL ID：200903040765672179
熱応力を緩和した積層半導体装置モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053621
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251515
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 BGAタイプの積層半導体装置モジュールにおいて、隣接するセラミックス基板1とプリント基板2の間の接続部や、最下段のセラミックス基板23とモジュールを実装するプリント配線板25との間の接続部の熱応力を緩和し、多様な回路基板の組合わせと基板の大型化を可能にする。【解決手段】 材質の異なる回路基板1と2の間の空間に樹脂11を充填する。最下段のセラミックス基板23と実装用のプリント配線板25との間には、プリント基板24をダミー基板としてモジュールの下に積層し、このダミー基板24と最下段のセラミックス基板23との間にも樹脂31を充填する。
請求項（抜粋）：
それぞれ半導体素子を搭載し、下面に外部端子として球状金属を備えた回路基板からなる複数の半導体装置を、該球状金属を基板間の接続部材として積層してなる積層半導体装置モジュールであって、モジュール内の1の半導体装置の回路基板が隣接する半導体装置の回路基板と異質の絶縁性材料から構成されており、この2つの回路基板の間の空間に樹脂が少なくとも部分的に充填されていることを特徴とする、積層半導体装置モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
