特許
J-GLOBAL ID：200903040770639619
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008367
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055466
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 蓄積電極と誘電体膜との界面の自然酸化膜の形成を防止し、誘電体膜を薄膜化しても、比誘電率が低下することのない半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】 蓄積電極となる多結晶シリコン層8を形成した後、希釈したHFにDip,水洗を施し、全面に誘電体膜としてTa2 O5 膜11を蒸着する。つぎに、プレート電極となるタングステン(W)層17を蒸着することにより、多結晶シリコン層8とTa2 O5 膜11との界面において、多結晶シリコン層8のSiのダングリングボンドが水素原子18により終端される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、トランジスタ領域と、このトランジスタ領域に電気的に接続した多結晶シリコン層よりなる蓄積電極と、この蓄積電極上に形成した誘電体膜と、この誘電体膜上に形成したプレート電極とを備え、前記蓄積電極を形成する多結晶シリコン層と前記誘電体膜との界面における前記多結晶シリコン層のシリコンのダングリングボンドを価数が1である原子により置換したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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