特許
J-GLOBAL ID：200903040771112630
多層エピタキシャル結晶構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175548
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【構成】 異なる特性の2以上のp型半導体層を有するIII-V族化合物半導体混晶からなる多層膜を形成する場合において、MOCVD法を使用して多層エピタキシャル結晶の成長を行なうとともに、高濃度もしくはキャリア濃度分布の急峻性が必要なp型半導体層には不純物としてマグネシウムを用い、キャリア濃度の精度が必要なp型半導体層には不純物として亜鉛を用いるようにして、不純物を使い分けるようにした。【効果】 マグネシウムは半導体層中に高濃度にドーピングすることができるとともに濃度曲線が急峻であり、また亜鉛はキャリア濃度の制御性が良いので、発光ダイオード等の光半導体デバイスの基板に最適な結晶構造が得られ、デバイスの特性および生産性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板上にpn接合および異なる特性の2以上のp型半導体層を有する多層エピタキシャル結晶構造において、n型半導体層に接しない部位には亜鉛を不純物とするp型半導体層が,また少なくともn型半導体層に接する側にマグネシウムを不純物とするp型半導体層がそれぞれMOCVD法によりエピタキシャル成長されてなることを特徴とする多層エピタキシャル結晶構造。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
