特許
J-GLOBAL ID:200903040773099801

ドライプロセス装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-303337
公開番号(公開出願番号):特開平5-144776
出願日: 1991年11月19日
公開日(公表日): 1993年06月11日
要約:
【要約】【目的】 アノード電極とカソード電極を備え、これらが略平行かつ対向する配置を有する低気圧ガス放電を利用するドライプロセス装置において、ウエハ搬送、ウエハ押さえ機構を簡素化するとともに、処理に伴う容器内部の汚れを簡単に取り除ける構造とする。【構成】 内側容器20とエッチング室1からなる2重構造の真空処理容器を設け、内側容器20は開口21を有し、内側容器20の内外では反応ガスの出入りが自由で同一気圧になるようにし、内側容器20内にアノード電極9を配置し、前記開口21にウエハ5を載置して、該ウエハ5をカソード電極8で押し付けて、前記開口21を封じ、内側容器20内で放電処理を行なう。
請求項(抜粋):
アノード電極とカソード電極を備え、これらが略平行でかつ対向する配置を有する低気圧ガス放電を利用するドライプロセス装置において、(a)内側容器と外側容器からなる2重構造の真空処理容器を設け、(b)前記内側容器は開口を有し、該内側容器の内外では反応ガスの出入りが自由で同一気圧になるようにし、前記内側容器内に前記アノード電極を配置し、前記開口上にウエハを載置し、該ウエハを前記カソード電極で押し付けて、前記開口を封じ、前記内側容器内で放電処理を行なうようにしたことを特徴とするドライプロセス装置。
IPC (2件):
H01L 21/302 ,  H01L 21/68

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