特許

J-GLOBAL ID：200903040773555408

炭化けい素基板の熱処理方法

発明者： 広瀬 友二 ,  斎藤 明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246559
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087257
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】SiC基板にイオン注入した不純物の活性化、拡散のための1200°C以上の高温熱処理に際して、Siの蒸発によるSiC基板の黒化を抑制する。【解決手段】SiC製の蓋1およびSiC製の台付き容器4とでほぼ密閉状態をつくり、その中にSiC基板3とSi片5を入れ、加熱する。

請求項（抜粋）：

炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板を入れて熱処理することを特徴とする炭化けい素基板の熱処理方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不純物のイオン注入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289331   出願人：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 特開平3-283533