特許

J-GLOBAL ID：200903040782766136

半導体装置およびその製造方法

発明者： ブレンナー,ピエトロ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-521366
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507113
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

本発明は、基板を有し、その内部に集積されている少なくとも1つの部品を含み、その主要側面に金属被覆が備えられている半導体装置に関するものである。金属被覆の少なくとも一部の下に、基板に配された絶縁層が備えられている。絶縁層が、トレンチ格子の形状なので高周波数信号のために、寄生容量と望ましくない信号電力損失とを減少できる。

請求項（抜粋）：

基板(1)を有し、この基板は、この基板に集積されている少なくとも1つの部品、特にトランジスタを有し、さらにこの部品を取り囲んでいるトレンチ溝を備えており、この基板の第1主要側面(I)に金属被覆(2)が設けられており、この金属被覆(2)の少なくとも一部の下に、基板(1)に配された絶縁層(3)が備えられている半導体装置であって、 上記の絶縁層(3)が、トレンチ格子の形状で実現されており、このトレンチ格子と、集積部品を取り囲んでいるトレンチ溝とを、同じ方法工程において製造できることを特徴とする、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (1件)：

H01L21/88 T

Fターム (5件)：

5F033HH04 ,  5F033RR14 ,  5F033VV07 ,  5F033VV09 ,  5F033XX24