特許

J-GLOBAL ID：200903040791748922

半導体集積回路装置

発明者： 大林 正幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240149
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093024
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 複数のMISFETを有する半導体集積回路装置の高速化及び高集積化を図る。【解決手段】 複数のMISFETQnを有する半導体集積回路装置であって、前記複数のMISFETQnの夫々を、半導体基体1の埋込絶縁膜1Bの表面にソース領域(n型半導体領域8)及びドレイン領域(n型半導体領域8)の底部を接触させた構造で構成し、前記複数のMISFETQnの夫々を、これらのチャネル形成領域(p型ウエル領域4A)と電気的に接続された第2導電型ウエル領域4Bで分離する。

請求項（抜粋）：

複数の第1導電型MISFETを有する半導体集積回路装置であって、前記複数の第1導電型MISFETの夫々が半導体基体の埋込絶縁膜の表面にソース領域及びドレイン領域の底部を接触させた構造で構成され、前記複数の第1導電型MISFETの夫々がこれらのチャネル形成領域と電気的に接続された第2導電型ウエル領域で分離されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 21/761 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 21/76 J ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 621