特許

J-GLOBAL ID：200903040792304556

酸化亜鉛膜の製造方法

発明者： 木村 浩 ,  金丸 浩 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065743
公開番号（公開出願番号）：特開平9-256139
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】SAW(表面弾性波)フィルタ等のSAWデバイスに用いられる、結晶性の良いZnO(酸化亜鉛)膜を短時間に成膜する。【解決手段】成膜を二段階に分け、第一段階では薄いが結晶性の良いバッファ層を成膜し、第二段階では、成膜速度を上げて成長層を成膜する。第一段階としては、0.4μm/h以下と遅い成膜速度か、あるいは150°C〜300°Cの高温で、X線回折線のロッキング曲線の半値幅が9度以下になるようにし、0.05〜0.1μmのバッファ層を成膜する方法が有効である。

請求項（抜粋）：

基板上に薄い結晶性の良いバッファ層を堆積した後、その上に成膜速度の速い条件でバッファ層より厚い成長層を堆積することを特徴とする酸化亜鉛膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  H01L 41/22

FI (4件)：

C23C 14/08 C ,  C23C 14/34 V ,  C23C 14/35 F ,  H01L 41/22 Z