特許

J-GLOBAL ID：200903040793019391

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304124
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 Al系配線層のエッチングにおいて、オーバーエッチング時の異方性形状の劣化を防止する。【構成】 バリヤメタル4,Al-1%Si層5,TiON反射防止膜6からなるAl系多層膜7を、通常の塩素系ガスを用いてジャストエッチングした後、COCl2 (塩化カルボニル)/CHF3 混合ガスを用いてオーバーエッチングする。Cl* によりAl系多層膜7の残余部7bが除去される一方で、気相中から生成する炭素系ポリマーにカルボニル基やC-O結合等が導入され、膜質が強化された側壁保護膜9aが形成される。したがって、Al系配線パターン7aの異方性形状が劣化しない。COCl2 に替えてNOCl(塩化ニトロシル),SOCl2 (塩化チオニル),CSCl2 (塩化チオカルボニル)等も使用できる。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板上のアルミニウム系配線層を実質的にその層厚分だけエッチングするジャストエッチング工程と、分子内にカルボニル基,ニトロシル基, ニトリル基,チオニル基,スルフリル基,チオカルボニル基から選ばれる少なくとも1種類の官能基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用いて前記アルミニウム系配線層の残余部をエッチングするオーバーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00