特許
J-GLOBAL ID:200903040794965436

二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野中 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-313629
公開番号(公開出願番号):特開平5-331289
出願日: 1991年10月31日
公開日(公表日): 1993年12月14日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 高感度、高解像度で、耐ドライエッチン性に優れた遠紫外線光、電子線またはX線に感応するレジスト材料として有用な共重合体を提供する。【構成】 次式で表わされる?@二元共重合体(m=0、n=1、p=1〜99の整数、l=10以上10000以下の整数)又は?A三元共重合体(p,g=1〜10、モル分率l=15〜99%、m=1〜85%、(p+g)=50〜99%)(R1,R2はH、炭素数1〜4のアルキル基、または〔Si(CH3)2〕yCH3でyは1から3を表す。R3は(CH2)m、m=0またはm=1〜3のアルキレン基を表す。XはOH、ターシャリーブトキシ若しくはターシャリーブトキシカルボニルオキシを表す。)【効果】アルカリ現像時に膜減りの発生が殆どなく、基板との接着力に優れ特別な基板処理なしでも容易にサブミクロンの微細パターンが得られる。
請求項(抜粋):
1〜50モル%の-SO2 -で示される構造単位と50〜99モル%の下記(式1)で示される核置換スチレン誘導体を構造単位とし、線状化合物であって数平均分子量が2,000〜2,000,000で下記(式3)の構造式を有する二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との二元共重合体。【化1】ここでR1 およびR2 はメタ位でH、炭素数1〜4のアルキル基若しくは[Si(CH3 )2 ]y CH3 であり、yは1〜3の整数である。また、R1 とR2とは同一であっても異ってもよい。R3 はパラ位で(CH2 )m m=0またはm=1〜3のアルキレン基を表わし、XはOH、タ-シャリ-ブトキシ基若しくはタ-シャリ-ブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、R1 およびR2 がHでm=0の場合を除く。【化2】ここで、R1 ,R2 ,R3 およびXの意味は(式1)の場合と同様であり、pは1〜99の任意の整数、nは10以上10,000以下の整数である。

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