特許
J-GLOBAL ID：200903040796041347
真空処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214691
公開番号（公開出願番号）：特開平6-033270
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 基板載置台とは独立にプラズマ発生源を備えた真空処理装置において、基板載置台にバイアス電圧を誘起しても、プラズマ発生源で生じたプラズマの空間電位に影響を与えずに、再現性良く基板入射イオンエネルギーの制御を可能にすると共に、プラズマの空間電位を独立に制御可能にする。【構成】 ヘリコン波イオン源10で塩素ガスの反応性プラズマを発生させ、このプラズマを拡散チャンバ12内に拡散してウェーハ23上のポリSiをエッチングする。拡散チャンバ12内に拡散されたプラズマは、導電体26に接触するため、導電体26の電位によりプラズマの空間電位が決定される。プラズマ電位コントロール用電源28により導電体26の電位を制御することにより、ウェーハ23に入射するイオンのエネルギーを制御でき、制御性に優れたエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
真空に排気できる容器内に設置した基板載置台で被処理基板を保持し、基板載置台から離れた位置に設置されたプラズマ発生源で、導入ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを用いて基板を処理する真空処理装置において、プラズマ発生源と基板載置台の間に、電位を制御可能な導電体を設けたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, C23C 16/50
, H01L 21/302
