特許
J-GLOBAL ID：200903040799195876
半導体エッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
緒方 保人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148477
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 不要な絶縁膜を除去するためのエッチング前工程を追加することなく、保護膜形成工程において均一な膜厚の保護膜を形成できるようにする。【構成】 アノード電極板10上に載置した半導体ウェハ12を固定するドーナツ状のクランプ部材10が設けられており、このクランプ部材10の内周端部に、この内周端と上記ウェハ12の外周端部との間に所定の隙間t(例えば0.2〜0.4mm)が設定される切欠き18を設け、コンタクトホール等のエッチングをすると共に、アルミニウムパターンを形成した後の保護膜形成工程で電極ピンが当接されるウェハ12の外周部分をエッチングする。これにより、均一な保護膜が形成でき、しかも外周部分のエッチング前処理工程が本来の目的であるエッチング工程と同時に行える。なお、上記切欠き18により設定される上記隙間tは、0.5mm以下とすることが好ましい。
請求項（抜粋）：
電極板に接触配置された半導体ウェハの外周部をクランプ部材で固定する半導体エッチング装置において、エッチング処理後の保護膜形成工程で電極部が当接される半導体ウェハの外周端部と上記クランプ部材の端部との間に所定の隙間が設定されるように、クランプ部材に部分的に切欠きを設け、この切欠きから上記半導体ウェハの外周部分をエッチングするようにしたことを特徴とする半導体エッチング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/68
