特許
J-GLOBAL ID：200903040800250550
SiO▲2▼に対するSiN膜の選択的エツチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227185
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067591
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【構成】RFが印加される平行平板型RIE装置を用いたSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法において、前記RFの周波数を1MHz以下に設定する一方、CF4 、O2 およびArあるいはHeを使用してCF4 に対するO2の混合比を33%から67%に設定するとともに、RFパワー密度を0.5W/cm2 以下に設定してエッチングを行なうSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法。【効果】SiN膜をエッチングする場合、1MHz以下の周波数を印加したRIE装置を用いて、SiO2 に対するSiN膜の高選択エッチングをすることができる。従って、従来のようにSiNエッチング専用のRIE装置を併設せずに済ませることが可能となる。
請求項（抜粋）：
RF(Radio Frequency)が印加される平行平板型RIE(Reactive Ion Etching)装置を用いたSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法において、前記RFの周波数を1MHz以下に設定する一方、CF4 、O2およびArあるいはHeを使用してCF4 に対するO2 の混合比を33%から67%に設定するとともに、RFパワー密度を0.5W/cm2 以下に設定してエッチングを行なうことを特徴とするSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
, H05H 1/46
