特許

J-GLOBAL ID：200903040801947422

新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： 渡辺 聡 ,  大澤 洋一 ,  竹村 勝也 ,  八木橋 不二夫 ,  石原 俊信 ,  丸山 和政 ,  竹田 好文
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-324069
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【構成】 下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基である。また、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。)【効果】 本発明の新規スルホニウム塩は、酸発生剤であるスルホニウム塩に少なくとも2つ以上の酸不安定基であるtert-ブトキシ基を導入したことにより、露光部と未露光部の溶解コントラストを大きくすることができるため、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効であり、本発明の一般式(1)で表わされるスルホニウム塩を含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料として遠紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、感度、解像度、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基である。また、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。)

IPC (6件)：

C07C381/12 ,  C07C309/06 ,  C07C309/30 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027