特許
J-GLOBAL ID：200903040802864458
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-087831
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】 Si(100)ウエハから成る半導体基板の上面に第1の異方性エッチングにより形成した{111}面だけから構成される凹みを設け、基板の下面から凹みの先端まで基板の所望の部分を除去する第2の異方性エッチングを行う様にして、片持ばりと重りとを形成可能とする。【構成】 Si(100)ウエハから成る半導体基板1の上面に片持ばり9となる部分の外形を第1の異方性エッチングにより形成した{111}面だけから構成される凹み5で囲む。基板1の下面から凹み5の先端まで基板1の所望の部分を第2の異方性エッチングで除去する。凹み5の深さdを片持ばり9の厚さ相当に設定することにより、片持ばり9の厚さが凹み5の深さdで決定されるため、高精度に設定することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、一端を支持された片持ばりの偏位を検出することにより加速度を検出する半導体加速度センサの製造方法において、Si(100)ウエハを前記半導体基板として用い、この基板の支持端を除いた片持ばりの外形を囲む空隙の形状をした{111}面だけから形成される凹みを前記基板の上面に第1の異方性エッチングにより形成し、かつ、この凹みの深さを前記片持ばりの厚さ相当とし、前記基板の裏面に必要な形状のマスクを設け、前記基板の下面から第2の異方性エッチングを行なって前記基板の所望の部分を除去し、かつ、この第2の異方性エッチングにより前記凹みの先端まで除去が達した時点で前記第2の異方性エッチングを停止することにより前記片持ばりの厚さを所定の値として得ることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
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