特許
J-GLOBAL ID:200903040806355566
半導体装置およびワイヤボンディング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-107342
公開番号(公開出願番号):特開2003-303845
出願日: 2002年04月10日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】パワー半導体装置の容量増加に伴うボンディングワイヤの太線化の要求に対して、ワイヤの接合界面に発生する熱応力を低減してパワーサイクル耐量の向上化を図る。【解決手段】ボンディングワイヤ4を使って半導体チップ2に形成した接続電極と該電極に接続する外部電極3の間を相互接続した組立構造になる半導体装置において、電極間に跨がって接続した前記のボンディングワイヤ4のループ部4-3に、パワーサイクル,ヒートサイクルに伴う熱膨張差に起因してワイヤに発生する応力の低減手段として、ループ部に沿って断面形状が偏平な薄肉部4aを部分的ないし連続的に形成してワイヤループの撓み性を高め、これによりワイヤ接合部4-1,4-2の接合界面に作用する応力を低減してワイヤの剥離発生を防ぎ、パワーサイクル耐量の向上化を図る。
請求項(抜粋):
半導体チップ上の接続電極と他の部品の電極との間をボンディングワイヤで接続して組立てた半導体装置において、前記ボンディングワイヤのループ部に、断面形状が偏平な薄肉部を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
FI (2件):
H01L 21/60 301 D
, H01L 21/60 301 F
Fターム (5件):
5F044BB14
, 5F044CC04
, 5F044CC05
, 5F044CC07
, 5F044FF08
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭59-048947
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特開昭63-029534
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