特許
J-GLOBAL ID：200903040808792556
浮遊帯域溶融法における晶出結晶径の自動制御方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259456
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077588
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：
【要約】【目的】 浮遊帯域溶融法による半導体単結晶の製造において、視覚センサの走査線のばらつきや設置角度誤差の影響を受けずに高精度に晶出結晶径を自動制御できるようにする。【構成】 半導体単結晶のトップを形成する場合、溶融部をCCDカメラ5で検出し、画像処理装置6を経て制御装置7に入力する。制御装置7は、素材径に対応させて設定した誘導加熱コイル2の発振電圧の上限値、下限値の範囲内に発振電圧を制御する。また、素材径と素材送り速度から求めた素材供給量と、結晶径と結晶送り速度から求めた結晶化量との差が所定範囲に入るように、素材送り速度と結晶送り速度を制御する。更に、誘導加熱コイル2と素材溶融面との距離が所定値より小さくなった場合は、誘導加熱コイル2の発振電圧を所定範囲内で上昇させる。直胴、ボトムの形成も前記に準じて行う。この方法で、晶出結晶径は高精度に自動制御される。
請求項（抜粋）：
浮遊帯域溶融法による半導体単結晶製造装置を用い、視覚センサで溶融帯域の幾何学量を検出し、その検出値に基づいて晶出結晶径を制御する半導体単結晶の製造において、前記幾何学量が、視覚センサで取り込んだ画像の晶出結晶径、素材径、誘導加熱コイルと素材溶融面との距離を含むものであることを特徴とする浮遊帯域溶融法における晶出結晶径の自動制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 13/30
, H01L 21/208 M
