特許

J-GLOBAL ID：200903040814389194

半導体装置の製造方法

発明者： 山崎 孝二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181478
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029316
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】配線の接続孔を気相成長のタングステン膜により埋め込む技術において、再現性のよい製造方法を提供する。【構成】接続孔104を有する層間絶縁膜103表面にチタン膜105,窒化チタン膜106が形成され、窒素処理された後、スパッタ法による第1のタングステン膜108が形成される。続いて、6弗化タングステンガスを主成分とする化学気相成長法による第2のタングステン膜109が形成され、接続介104を埋め込む。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に、所定の接続孔を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜表面に、チタン膜,および窒化チタン膜を形成する工程と、前記窒化チタン膜表面に、スパッタ法により、第1のタングステン膜を形成する工程と、前記第1のタングステン膜表面に、6弗化タングステンガスを主成分とする化学気相成長法により、第2のタングステン膜を形成し、前記接続孔を埋め込む工程と、前記絶縁膜上の前記第2のタングステン膜,前記第1のタングステン膜,前記窒化チタン膜,および前記チタン膜をプラズマエッチングを用いて除去し、前記接続孔内部にのみ前記第2のタングステン膜,前記第1のタングステン膜,前記窒化チタン膜,および前記チタン膜を残留させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-041240
  
• 特開平2-185029
  
• 特開平2-199827