特許
J-GLOBAL ID：200903040824728086
プラズマ表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005062
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199478
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】プラズマ表面処理装置において、真空容器内壁が放電にさらされても、前記内壁がスパッタリングされるのを抑制し、長寿命で均一な処理を行うことを可能とする。【解決手段】第1の電極を備えた真空容器と、真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手段と、真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段と、真空容器内に放電を維持する手段と、真空容器内に磁界を発生する手段と、第1の電極と対向し前記真空容器の上部内壁からなる第2の電極とを具備するものであって、前記第1の電極の上に被処理基体を設置し、前記第2の電極の表面が磁界と平行になるように構成することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
請求項（抜粋）：
第1の電極を備えた真空容器と、前記真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手段と、前記真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段と、前記真空容器内に放電を維持する手段と、前記真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段と、前記第1の電極と対向し前記真空容器の上部内壁からなる第2の電極とを具備するものであって、前記第1の電極の上に被処理基体を設置し、前記第2の電極の表面が磁界と平行になるように構成することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
H01L 21/302 C
, H01L 21/205
