特許
J-GLOBAL ID：200903040826310682
薄い半導体材料フィルムの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246594
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211128
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 単結晶質フィルムの製造に適用可能な薄い半導体材料フィルムの製造方法を提供する。【構成】 薄い単結晶質又は多結晶質半導体材料フィルムの製造方法は、平面を有する半導体材料ウェーハを、以下の3つの段階:基板のバルクを構成する下方区域6と薄いフィルムを構成する上方区域5とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層3を前記ウェーハの容積部に生じる、イオンにより行われる前記ウェーハ1の面4へのボンバード2による注入の第1段階と、前記ウェーハの平面4を、少なくとも1つの剛性材料層からなる補剛材7と密着させる第2段階と、イオンボンバード2が実施される温度よりも高く、且つウェーハ1中の結晶再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム5と基板6のバックとを分離させるのに十分な温度で前記ウェーハ1と前記補剛材7とのアセンブリを熱処理する第3段階とに付すことを包含することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
薄い半導体材料フィルムの製造方法であって、半導体材料が完全に単結晶質の場合にはその面が主要結晶面と実質的に平行であり、材料が多結晶質の場合にはその面が全ての粒子に対して同一指数の主要結晶面に対して僅かに傾斜している半導体材料ウェーハを、以下の3つの段階:基板のバルクを構成する下方区域と薄いフィルムを構成する上方区域とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層をイオンの平均進入深さに近い深さの前記ウェーハの容積部に生じる、イオンにより行われる前記ウェーハの面へのボンバードによる注入の第1段階であって、イオンは水素ガスイオン又は稀ガスイオンの中から選択され、注入中のウェーハ温度は、注入イオンにより発生されたガスが拡散により半導体から放出し得る温度よりも低く維持されている第1段階と、前記ウェーハの平面を、少なくとも1つの剛性材料層からなる補剛材と密着させる第2段階と、イオンボンバードが実施される温度よりも高く、且つこの段階中に前記補剛材と前記ウェーハの平面とは密着させたままで、ウェーハ中の結晶の再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルムと基板のバルクとを分離させるのに適した温度で前記ウェーハと前記補剛材とのアセンブリを熱処理する第3段階とで処理することを包含することを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/265
, H01L 21/027
, H01L 27/12
, H01L 31/04
H01L 21/265 W
, H01L 21/30 331 M
, H01L 31/04 X
