特許

J-GLOBAL ID：200903040830695670

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

発明者： 新井 寿裕 ,  佐藤 栄治 ,  長崎 恵一 ,  本間 喜夫 ,  斉藤 政良 ,  中西 成彦
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217038
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058102
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 反応チャンバ内にTEOSガスとオゾンガスを送入しても異常燃焼を起こさないシリコン酸化膜の成膜方法および装置を提供する。【構成】 CVD装置の反応チャンバにTEOSガスとオゾンガスを送入することからなるシリコン酸化膜の成膜方法において、TEOSガスをチャンバ内に先に送入し、チャンバ内のTEOSガス濃度を1%以下に維持しながら、その後、オゾンガスをチャンバ内に送入する。

請求項（抜粋）：

CVD装置の反応チャンバにTEOSガスとオゾンガスを送入することからなるシリコン酸化膜の成膜方法において、TEOSガスをチャンバ内に先に送入し、その後オゾンガスをチャンバ内に送入し、そしてチャンバ内のTEOSガス濃度を常に1%以下に維持しながらTEOSガスとオゾンガスをそれぞれチャンバ内に送入することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31