特許

J-GLOBAL ID：200903040830736651

磁気ディスク基板用アルミニウム合金板の製造方法

発明者： 大堀 紘一 ,  向尾 三男
出願人/特許権者： 三菱アルミニウム株式会社
代理人 (1件)： 潮谷 奈津夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151661
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331397
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【目的】 鏡面仕上げ後の平面性に優れ、しかもNi-Pメッキ層の密着性が良好で、表面欠陥のない磁気デイスク用基板の製造方法を提供する。【構成】 重量%で、Mg:3.0〜5.0%,Zn:0.10〜0.30%,Cu:0.05 〜0.20% およびFe:0.01 〜0.10% を含有し、不純物としてのSiの含有量を、Si≦0.05% に限定し、更に、必要に応じてTi:0.001〜0.03%,Cr:0.05 〜0.15%,およびZr:0.05 〜0.15% のうち、少なくとも1種以上を含有し、残部がAlおよびその他の不可避不純物からなる化学成分組成を有するAl合金の鋳塊に対して、温度500 〜560 °Cの範囲内で時間4 〜24Hrの範囲内の均質化処理を施した後、熱間圧延および冷間圧延を行ない、次いでこのようにして調製されたAl合金板に対して、中間焼鈍として温度400 〜560 °Cの範囲内に加熱し、時間0超〜30sec の範囲内保持した後冷却し、更に圧延率30〜70% の最終冷間圧延を行なうことからなる。

請求項（抜粋）：

マグネシウム(Mg):3.0 〜5.0wt%、亜鉛(Zn) :0.10〜0.30wt%、銅(Cu) :0.05〜0.20wt%、および鉄(Fe) :0.01〜0.10wt.%を含有し、更に、不純物としてのシリコンの含有量を、シリコン(Si) :0.05wt%以下に限定し、残部がアルミニウム(Al)およびその他の不可避不純物からなる化学成分組成を有するアルミニウム合金の鋳塊に対して、温度500〜560°Cの範囲内で時間4〜24Hrの範囲内の均質化処理を施した後、熱間圧延および冷間圧延を行ない、次いでこのようにして調製されたアルミニウム合金板に対して、中間焼鈍として温度400〜560°Cの範囲内に急速加熱し、時間0超〜30secの範囲内保持した後急速冷却し、更に、圧延率30〜70%の最終冷間圧延を行なうことを特徴とする、磁気デイスク基板用アルミニウム合金板の製造方法。

IPC (3件)：

C22F 1/047 ,  C22C 21/06 ,  G11B 5/82