特許

J-GLOBAL ID：200903040831855964

半導体発光素子

発明者： 石橋 晃
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162770
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283489
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子のp型クラッド層の正孔濃度を十分に高くし、また、クラッド層の材料の選択の範囲を広くする。【構成】 クラッド層の少なくとも一部として、Zn、Mg、CdおよびMnから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素と、S、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素とにより構成された少なくとも二種類の化合物半導体から成る超格子、好適には基板とほぼ格子整合する超格子を用いる。例えば、半導体レーザーのn型クラッド層およびp型クラッド層としてそれぞれn型ZnSe/MgS超格子クラッド層1およびp型ZnSe/MgS超格子クラッド層5を用いる。p型ZnSe/MgS超格子クラッド層5の形成に際しては、MgS層を避けてZnSe層にのみアクセプタ不純物をドープする。

請求項（抜粋）：

Zn、Mg、CdおよびMnから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素と、S、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素とにより構成された少なくとも二種類の化合物半導体から成る超格子をクラッド層の少なくとも一部として用いた半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00