特許
J-GLOBAL ID：200903040833138950
InSb半導体装置の表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048424
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267927
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 InSbの陽極酸化膜を保全し、かつ寄生抵抗のない良好な電気的特性を有するフォトダイオードを形成しうる表面処理方法を提供する。【構成】 InSb基体表面の一部に陽極酸化膜が形成されてなる該陽極酸化膜と前記InSbとの露出面に対し、臭素とアルコール類との混合液で処理を施す工程を含むInSb半導体装置の表面処理方法。
請求項（抜粋）：
InSb基体表面の一部に陽極酸化膜が形成されてなる該陽極酸化膜と前記InSbとの露出面に対し、臭素とアルコール類との混合液で処理を施す工程を含むInSb半導体装置の表面処理方法。
IPC (2件)：
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