特許
J-GLOBAL ID：200903040835446910
極低塩素チタン粉末の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194318
公開番号（公開出願番号）：特開平6-033115
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、極低塩素チタン粉末を従来よりも低い製造コストで製造するための方法を提供する。【構成】 水素吸収処理した溶製チタン塊表層部の脆化層を粉砕除去し、残存した塊をβ単相あるいはβ+δ二相温度域に特定時間加熱保持し、空冷以上の冷却速度で冷却し、表層酸化層除去後、粉砕し、脱水素焼鈍を行う。あるいは、空冷以上の冷却速度で冷却する工程の後、室温以上300°C未満の温度域に特定時間保持する時効処理を挿入する。【効果】 水素化物生成が不十分で脆化しにくかった大型チタン塊からも、一回の水素吸収処理で歩留まり良くチタン粉末を製造でき、製造コストが低減される。
請求項（抜粋）：
水素含有雰囲気で加熱保持した溶製チタン塊表層部の脆化層を、機械的粉砕法により除去し、残存した塊をβ単相温度域あるいはβ+δ二相温度域に5分以上3時間以下の時間加熱保持し、空冷以上の冷却速度で冷却し、次いで表層部の酸化層を除去した後、機械的粉砕を行い、さらに真空雰囲気で脱水素焼鈍を行うことを特徴とする極低塩素チタン粉末の製造方法。
IPC (2件)：
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