特許
J-GLOBAL ID：200903040838081620
波長選択性光半導体素子及びそれを用いて光を増幅又は発光させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195825
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003374
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 広い選択波長の可変範囲を有し、設計の容易な光半導体素子である。【構成】 バイポーラトランジスタ構造のコレクタ領域13の一部にドーピングされていない多重量子井戸層15を設ける。ベース領域12に、活性層14となるバンドギャップが他の層に比べて狭い層を設ける。エミッタ11-ベース12間に順バイアス、ベース12-コレクタ13間に逆バイアスを加えることで、多重量子井戸層15では、逆電界で、量子閉じ込めシュタルク効果による屈折率変化及び吸収スペクトルの変化が起き、活性層14は光の増幅効果を持つ。多重量子井戸15と活性層14とを近傍に形成して、導波光が両方を通りながら導波するので、屈折率変化と光の増幅が同時に達成される。
請求項（抜粋）：
以下のものを有することを特徴とする波長選択性光半導体素子:基板;前記基板上に設けられた、第1の導電型を有する半導体から成るコレクタ層;前記コレクタ層の上に設けられた多重量子井戸層;前記多重量子井戸層の上に設けられた、第2の導電型を有する半導体から成るベース層、ここで、該ベース層は、活性層と、活性層をサンドイッチにした、活性層よりも広いバンドギャップを有する第1及び第2の半導体層から成り、ベース層及び多重量子井戸層は、光を伝搬させる;前記ベース層の上に設けられた、第1の導電型を有する半導体から成るエミッタ層;前記コレクタ層、ベース層及びエミッタ層にそれぞれ電気的に接続されたコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極。
IPC (2件)：
引用特許：
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