特許
J-GLOBAL ID：200903040838354545
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013601
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜の被覆率が良好で、層間絶縁膜への応力の集中を緩和する電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 トランジスタ等を形成したシリコン基板上に絶縁膜5を形成し、配線材料となるアルミニウム合金膜6を蒸着して、フォトレジストパターン7を介してアルミニウム合金膜6をドライエッチングした後、フォトレジストパターン7を除去し配線を形成する。次に層間絶縁膜となる酸化シリコン膜8を成長させる。その際に、第一段階の処理でArガスを用いてウエハー全面のスパッタリングを行うことにより、アルミニウム合金膜6の側壁上部のエッジ部分をスパッタリングして配線形状を順テーパ形状とした後、第二段階の処理で酸化シリコン膜8を成長させて層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
所定の処理を施して、半導体基板上に形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成された上部エッジ部が丸みをおびた電極配線膜と、その電極配線膜上部,側面および前記絶縁膜上に形成された層間絶縁膜とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
