特許

J-GLOBAL ID：200903040842737491

導電体パターンを有する基板の製造方法

発明者： 岩沢 直純 ,  磯崎 理 ,  小川 哲夫
出願人/特許権者： 関西ペイント株式会社
代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-281439
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 水で現像できて、耐エッチング性に優れ、エッチング後のレジスト膜の剥離が容易で、解像力の高いレジストパターンが得られるレジストを使用した導電体パターンを有する基板の製造方法を提供する。【構成】 重合性不飽和基およびオニウム塩含有基を有するビニル重合体樹脂、および光重合開始剤を必須成分とする光重合性組成物を導電体層を有する基板上に塗布し、活性光線を選択的に照射して塗膜を硬化せしめ、ついで照射塗膜の未露光部を水で現像し、基板のレジスト膜が除去された部分をエッチングし、ついで基板上に残存するレジスト膜を除去する導電体パターンを有する基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)少なくとも一面に導電体層を有する基板の該導電体表面に、(a)重合体1kgあたり0.3〜7.5当量の重合性不飽和基及び0.1〜2.5当量の下記式[I]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は水素原子又は場合により水酸基、アルコキシ基、エステル基もしくはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8の炭化水素基を示し、-W+は【化2】を示し、ここでZは窒素原子又はリン原子を示し、Yは硫黄原子を示し、R3、R4及びR5は同一又は相異なり、それぞれ炭素数1〜14の有機基を示すか、或いはR3及びR4、又はR3、R4及びR5は一緒になって、これらが結合している窒素原子、リン原子もしくは硫黄原子と共に複素環式基を形成してもよい]で表わされる非プロトン性オニウム塩含有基を有するビニル重合体と、(b)光重合開始剤を主成分として含有する光重合性組成物を塗布し、未硬化塗膜を形成する工程;(B)該未硬化塗膜に活性光線をレジストパターン通りに照射して露光部分の塗膜を選択的に硬化せしめる工程;(C)該照射塗膜を水で洗浄し、未露光部分の塗膜を溶出、除去する工程;(D)該基板上の塗膜が除去された部分の導電体をエッチングにより除去する工程;及び(E)該基板上に残存するレジスト膜を除去する工程よりなる導電体パターンを有する基板の製造方法。

IPC (4件)：

G03F 7/038 501 ,  C08F 2/48 MDK ,  G03F 7/029 ,  H05K 3/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229440   出願人：タムラ化研株式会社