特許

J-GLOBAL ID：200903040844684514

半導体変換装置

発明者： 川村 逸生
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110794
公開番号（公開出願番号）：特開平6-327251
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】並列数の大きな半導体素子の、素子間の電流不平衡を小さくする。【構成】転流期間中の電流が同時に流れ得るu,v,wの3つの相の二次リード31u,31v,31wを冷却導体5Aの長手方向に直角の平面に並べて配置し、半導体素子4uも同じように冷却導体5Aの表面に取付けることによって、転流期間中の時間的変化の大きな電流成分は冷却導体5Aの長手方向に直角の方向に流れて相手の相の半導体素子4v、又は4wに流れ、しかも、複数の半導体素子4u1,4u2,4u3,4u4の電流の流れる経路が同じになることから、それぞれの半導体素子4u1,4u2,4u3,4u4とこれに接続される二次リード31uAのインダクタンスの差が小さくなりその結果それぞれの半導体素子間の電流分担の不平衡が小さくなる。

請求項（抜粋）：

整流器用変圧器の二次巻線から引き出される各相ごとの二次リード、これら二次リードに設けられ1つの相に対して複数の並列接続される半導体素子、複数の相のこれら半導体素子の同じ極が取付けられて半導体素子の冷却と集電を兼ねる冷却導体を備えた半導体変換装置において、転流期間中の電流が同時に流れ得る3つの相の二次リードが、冷却導体の長手方向に直角の平面に並べてそれぞれ引き出され、それぞれの相の二次リードに取付けられた半導体素子が冷却導体の長手方向に対して対称に冷却導体表面に配置して取付けられてなることを特徴とする半導体変換装置。