特許

J-GLOBAL ID：200903040851787809

チタニウム及びアルミニウムの相互作用を防止するための、集積窒素処理チタニウム層

発明者： リャン-ユー チャン ,  テッド グオ ,  ロデリック シー. モーズリー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139101
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045864
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウムの堆積に先立ってチタン及び/又はシリコンの露出面を有する基板を処理するための方法を提供する。【解決手段】 基板が、窒素プラズマを供給するプロセス領域に隣接して配置され、基板上のチタンとシリコンの露出区域が窒素でスタッフィングされ、窒化チタン(TiN)と、シリコンと窒素の各種化合物(Six Ny )とがそれぞれ形成される。窒素処理された表面、即ちTiN及びシリコン/窒素化合物は、アルミニウムとの相互作用に耐性を有している。このようにして、電気絶縁性TiAl3 の形成及び/又はシリコンのスパイクが低減又は除去される。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にチタン層を堆積するステップと、その後(b)前記チタン層を窒素に暴露するステップと、を含む基板上に窒化チタンを形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 B