特許

J-GLOBAL ID：200903040855579682

化学増幅型ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 小板橋 龍二 ,  草木 渉 ,  武田 隆信 ,  渡邊 修 ,  蜷川 博一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-069855
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】微細なパターン形成が要求されるリソグラフィー、特に電子線リソグラフィーで求められる高感度、高解像度、経時安定性をより高いレベルで満たし、優れたプロセス適応性と良好なパターン形状を有する化学増幅型ネガ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される架橋剤、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤、光酸発生剤より発生する酸によって架橋反応し、アルカリ現像液に対する溶解性が減少するアルカリ可溶性樹脂を含むことを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。【化16】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、下記一般式(1)で示される架橋剤、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤、光酸発生剤より発生する酸によって架橋反応し、アルカリ現像液に対する溶解性が減少するアルカリ可溶性樹脂を含むことを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。

IPC (2件)：

G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB28 ,  2H025CB52 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17