特許

J-GLOBAL ID：200903040869684373

一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材

発明者： 脇田 三郎 ,  佐々木 順一 ,  石割 雄二
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  株式会社ジェムコ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089132
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286024
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】【課題】 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材において、加工コストが低いと共に、高い重量歩留まりを得ること。【解決手段】 一方向凝固させたシリコンインゴットCを作製する方法であって、ルツボ1内に貯留させたシリコン融液Lに多結晶シリコンの種結晶Sを浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状である。

請求項（抜粋）：

一方向凝固させたシリコンインゴットを作製する方法であって、ルツボ内に貯留させたシリコン融液に多結晶シリコンの種結晶を浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを一方向凝固させながら引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状であることを特徴とする一方向凝固シリコンインゴットの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C01B 33/02 E ,  C23C 14/34 A ,  H01L 31/04 A

Fターム (17件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30 ,  4K029BA35 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC12 ,  5F051AA03 ,  5F051BA12 ,  5F051CB03