特許

J-GLOBAL ID：200903040870407928

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 上田 博之 ,  兼近 将一 ,  副島 成雅 ,  上杉 勉 ,  石黒 修 ,  加地 徹 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-095395
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273597
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】下層からのマグネシウムの拡散を利用した電界効果トランジスタの製造。【解決手段】マスク層2mでp型層1pの表面の一部を覆い、Mg原料を導入せずにGaN層を形成するべくエピタキシャル成長を行うと、下層のp型層1pに接触する部分においては、当該p型層1pからMgが拡散してpボディ層4pが形成され、マスク層2mの上部は、アンドープGaNから成るチャネル形成層4iが形成される。同様に、pボディ層4pの上部には、pボディ層4pからMgが拡散してp-AlGaN層5pが形成され、チャネル形成層4iの上部には、アンドープAlGaN層5iが形成される。このようにして製造されたHEMT100は、ボディ電極Bdの形成されるp-AlGaN層5p表面がエッチング処理されていないのでオーミック性が良好であり、ボディ電極Bdからチャネル形成層4iの電位を安定して保つことができ、素子特性の安定した素子となる。【選択図】図1.F

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、 アクセプタがドープされた第1のIII族窒化物系化合物半導体層の表面の一部に、組成が異なり、アクセプタが拡散しにくい第2のIII族窒化物系化合物半導体層から成るマスクを形成する工程と、 前記第1のIII族窒化物系化合物半導体層の露出面と、前記第2のIII族窒化物系化合物半導体層から成るマスクの表面とに、ドーパントを供給せずに第3のIII族窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを有し、 前記第3のIII族窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程においては、 前記第1のIII族窒化物系化合物半導体層の露出面上の前記第3のIII族窒化物系化合物半導体層中には前記第1のIII族窒化物系化合物半導体層中の前記アクセプタを拡散させ、 前記第2のIII族窒化物系化合物半導体層から成るマスク上の前記第3のIII族窒化物系化合物半導体層中には前記第1のIII族窒化物系化合物半導体層中の前記アクセプタを拡散させないことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/72 H ,  H01L21/205

Fターム (35件)：

5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP09 ,  5F003BP10 ,  5F003BP32 ,  5F003BP41 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045BB04 ,  5F045CA07 ,  5F045DA57 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05 ,  5F102HC21