特許

J-GLOBAL ID：200903040870941339

プラズマ処理装置

発明者： 井上 博之
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227349
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055372
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 反応管内において半導体ウエハをプラズマを用いて処理する際に、ウエハを収容する内管内での異常放電やプラズマの漏れ等を抑制し、ウエハの電気的なダメージを抑制する。【解決手段】 複数の半導体ウエハ6を収容すべく反応管2内に設けられ、活性種ラジカルが通過可能な複数の孔部4を有する内管3と、反応管2と内管3との間の長手方向に沿って積層配置され、電界方向が内管3に対する長手方向である複数のリング円盤状のプラズマ発生電極7a及び7bとを備える。ガス導入管10から反応ガスを導入すると共に高周波電源9により各電極7a及び7bに高周波電力を印加し、各電極7a及び7b間にプラズマPを発生させる。各電極7a及び7b間の電界方向E1 が内管3の中心へ向かう方向の成分を持たないため、プラズマPは電極7a及び7b間に閉じ込められ、内管3の孔部4を通過した活性種ラジカルのみによってウエハ6が処理される。

請求項（抜粋）：

反応管内に収容された複数の被処理基板をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、前記複数の被処理基板を収容すべく前記反応管内に設けられ、活性種ラジカルが通過可能な複数の拡散孔部を有する内管と、前記反応管と前記内管との間に設けられ、電界の方向が前記内管の接平面に対してほぼ平行である少なくとも一対のプラズマ発生電極とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/30 572 A