特許

J-GLOBAL ID：200903040874835894

半導体センサの製造方法

発明者： 霜鳥 裕
出願人/特許権者： 日本精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-186415
公開番号（公開出願番号）：特開平10-030972
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体センサの製造方法に関し、非常に簡単な方法によりメタライズ層をガラス材料からなる台座とステムとの接合面のみに形成させる方法を提供する。【解決手段】 連通孔形成工程は、ガラス台座(台座)2の表面から裏面に連通し、一方側の孔径を径大、他方側の孔径を径小とし、内面2c’がテーパー状の圧力導入孔(連通孔)2a’を形成する。メタライズ層形成工程は、ガラス台座2の前記他方側にガラス台座2と金属ベース板(ステム)4とを半田6により接合させるためのメタライズ層7を真空蒸着法により形成する。

請求項（抜粋）：

ガラス材料からなる台座を有する半導体チップをステム上に配設し、前記台座と前記ステムとを半田を用いて接合する半導体センサの製造方法において、前記台座の表面から裏面に連通し、一方側の孔径を径大、他方側の孔径を径小とし、内面がテーパー状の連通孔を形成する連通孔形成工程と、前記台座の前記他方側に前記台座と前記ステムとを前記半田により接合させるためのメタライズ層を真空蒸着法により形成するメタライズ層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B