特許

J-GLOBAL ID：200903040877729653

半導体ウェハのレジスト塗布方法及び吸着治具

発明者： 西澤 正人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105008
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299332
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】露光装置によるパターンの転写工程に、パターンぼけの原因となる半導体ウェハの裏面の微小パーティクルが持ち込まれることを防止する。【構成】工程(a)で半導体ウェハ1をメカニカル搬送具7に載せて搬入する。(b)(c)(d)で上の吸着治具2uに保持させメカニカル搬送具7を退去させてから下の吸着治具2dに保持変えする。(e)で半導体ウェハ1を回転させながら表面全面にレジストノズル4によってレジストを塗布する。(f)で溶剤ノズル5により表面周縁のレジストを除去する。(g)で上の吸着治具2uに保持変えし、回転させながら裏面全面を溶剤、純水などの順にバックリンスノズル6により洗浄する。乾燥後(h)(i)でメカニカル搬送具9を導入し、上の吸着治具2uの吸着を開放し、メカニカル搬送具9に半導体ウェハ1を載せて搬出し、露光装置に送る。

請求項（抜粋）：

下向きカップ状の上の吸着治具と上向きカップ状の下の吸着治具とを向かい合わせた間に半導体ウェハを配置し、始めに前記下の吸着治具に保持される前記半導体ウェハの表面全面にレジスト塗布を行い、次に前記半導体ウェハを前記上の吸着治具に保持変えして前記半導体ウェハの裏面全面に洗浄処理を施して主工程とすることを特徴とする半導体ウェハのレジスト塗布方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/30 361 C ,  H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 W