特許

J-GLOBAL ID：200903040878571700

半導体レーザ

発明者： 岩田 普
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237039
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 2-6化合物半導体をはじめとするヘテロ接合がタイプ2となる半導体を用いて青色発光半導体レーザを提供する。【構成】 電子閉じ込め層23に電子を閉じ込め、正孔閉じ込め層26に正孔を閉じ込め、量子井戸層25で電子と正孔を再結合させる。電子障壁層23と正孔障壁層27が各々電子と正孔の拡散を防ぐ。nクラッド層22とpクラッド層28が光を閉じ込める。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、格子整合した混晶半導体または超格子からなるpクラッド層と、正孔障壁層と、正孔閉じ込め層と、電子閉じ込め層と、電子障壁層と、nクラッド層とを有し、前記正孔障壁層がp形であり、前記電子障壁層がn形であり、前記正孔閉じ込め層と前記電子閉じ込め層とでヘテロ接合が形成され、そのバンドラインナップがタイプ2であり、正孔に対するポテンシャルが正孔閉じ込め層で低く、電子に対するポテンシャルが電子閉じ込め層で低く、前記正孔閉じ込め層と前記正孔障壁層とで形成するヘテロ接合面において正孔に対するポテンシャルが正孔障壁で高く、正孔閉じ込め層で低くなっており、前記電子閉じ込め層と前記電子障壁層とで形成するヘテロ接合面において電子に対するポテンシャルが電子障壁層で高く電子閉じ込め層で低くなっており、前記正孔障壁層に隣接するpクラッド層の屈折率と前記電子障壁層に隣接するnクラッド層の屈折率が少なくとも前記正孔閉じ込め層の屈折率と前記電子閉じ込め層の屈折率のいずれか一方よりも小さくなっていることを特徴とする半導体レーザ。