特許

J-GLOBAL ID：200903040879385129

フッ素ガスによるクリーニング機構を備えたCVD装置およびCVD装置のフッ素ガスによるクリーニング方法

発明者： 別 府 達 郎 ,  坂 井 克 夫 ,  大 倉 誠 司 ,  坂 村 正 二 ,  安 部 薫 ,  村 田 等 ,  和 仁 悦 夫 ,  亀 田 賢 治 ,  三 井 有 規 ,  大 平 豊 ,  米 村 泰 輔 ,  関 屋 章
出願人/特許権者： 財団法人地球環境産業技術研究機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192311
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039740
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】成膜工程の際に反応チャンバーの内壁、電極などの表面に付着、堆積したSiO2、Si3N4などの副生成物を、効率良く除去することができ、排出されるクリーニングガスの排出量も極めて低く、地球温暖化などの環境へ与える影響も少なく、コストも低減できるCVD装置におけるクリーニング方法を提供する。【解決手段】フッ素化合物にエネルギーを付与して、フッ素化合物を反応させて、フッ素ガス成分とフッ素ガス成分以外の成分を生成し、生成したフッ素ガス成分とフッ素ガス成分以外の成分とを分離して、フッ素ガス成分を分離精製して、CVD装置によって基材の成膜処理を行なった後に、分離精製したフッ素ガスをプラズマ化して、反応チャンバー内に付着した副生成物を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応チャンバー内に、反応ガスを供給して、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するCVD装置であって、 フッ素化合物にエネルギーを付与して、前記フッ素化合物を反応させて、フッ素ガス成分とフッ素ガス成分以外の成分を生成するエネルギー印加装置と、 前記エネルギー印加装置によって生成したフッ素ガス成分とフッ素ガス成分以外の成分とを分離して、フッ素ガス成分を分離精製するフッ素ガス濃縮・分離精製装置とを備えるフッ素ガス発生装置を備え、 前記CVD装置によって基板の成膜処理を行なった後に、前記フッ素ガス発生装置から分離精製したフッ素ガスをプラズマ化して、反応チャンバー内に付着した副生成物を除去するように構成されていることを特徴とするクリーニング機構を備えたCVD装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/44 J ,  H01L21/302 101H

Fターム (29件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EG08 ,  5F045EH18