特許

J-GLOBAL ID：200903040882422965

回路基板及びその製造方法

発明者： 伏井 康人 ,  中村 美幸 ,  辻村 好彦 ,  堀内 博人
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084150
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275247
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】ヒートサイクルに対する耐久性を一段と向上させた、窒化アルミニウム基板に金属回路を形成させた回路基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】金属回路と窒化アルミニウム基板とが、窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部の面に、3ZrO2 ・2Y2 O3 及び正方晶ZrO2 を含む酸化物層を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回路基板、及びイットリアを含む窒化アルミニウム基板の金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナゾル及び/又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成するか、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を塗布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミニウム基板面の一部又は全面にYとAlを含む酸化物の層を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面と金属板とをジルコニウム又はその化合物を含む活性金属ろう材で接合した後、エッチングして金属回路を形成させることを特徴とする回路基板の製造方法、等。

請求項（抜粋）：

金属回路と窒化アルミニウム基板とが、窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部の面に、3ZrO2 ・2Y2 O3 及び正方晶ZrO2 を含む酸化物層を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/02 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/00

FI (3件)：

H05K 1/02 F ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/00 Z