特許
J-GLOBAL ID：200903040887069651
位相シフトマスク、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057059
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254812
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 ハーフトーン型の位相シフトマスクを用いて周期的なホールパターンを形成する際に、近接効果によるパターン形状の変形を防止できる位相シフトマスク、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 透明基板と、透明基板上に形成され、一定の周期をもって配置された複数のホールパターンが形成された位相シフト膜とを有し、ホールパターンは、露光する光の近接効果により基板上に転写するパターンが変形しないように、パターンの形成された周期に応じてホールパターンの縦と横の寸法比が補正されている。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板上に形成され、一定の周期をもって配置された複数のホールパターンが形成された位相シフト膜とを有し、前記ホールパターンは、露光する光の近接効果により基板上に転写するパターンが変形しないように、前記ホールパターンの形成された周期に応じて前記ホールパターンの縦と横の寸法比が補正されていることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
